根据教育部关于硕士研究生招生复试录取的相关文件精神和学校统一部署，结合我院学科专业特点，制订硕士研究生复试工作细则如下。

一、组织领导

根据学校有关要求，学院硕士研究生复试工作在集成电路学院研究生招生工作领导小组的领导和统筹安排下，组建复试小组，负责复试各环节的组织和考核工作。

学院成立监察组，负责监督复试相关工作规定的执行情况，巡查复试、评卷等现场情况，监督信息公开、公示情况，受理、调查并处理考生申诉和质询。

二、招生计划及复试名单

1．根据学校下达的招生计划，按专业分配如下：

2．根据学校发布的《华中科技大学2025年硕士研究生招生考试复试基本分数要求》以及学院划定的复试分数线，凡报考我院且单科和总分均达到相关学科（专业）、类别（领域）分数线的考生即可进入我院复试。专项计划考生根据学校划定分数线入围复试。

复试名单详见学院网站“研究生教育——通知公告”栏目公告（http://ic.hust.edu.cn/yjsjy/tzgg.htm）

3．我院各专业不接收调剂。

三、复试确认及线下报到

（一）网上报到及缴费

凡进入我院复试名单的考生，必须登录我校研究生招生管理系统https://yanzhao.hust.edu.cn“硕士复试报到系统”模块。
 考生须确认复试信息，在线缴纳复试费100元/人，提交复试资格审核材料，并在线签署《考试诚信承诺书》。

完成缴费后，考生务必在3月20日前上传资格审核材料，主要包括：

1．身份证件。有效的居民身份证或港澳台考生有效身份证明的正、反面照片（分正、反面2张图片上传，请确保边框完整，字迹清晰可见，亮度均匀），照片上传时须调整为横版。

2．学历、学籍材料。（仅限上传1张JPG图片或1个PDF文件）

（1）国内学历、学籍信息。往届生须提交《教育部学历证书电子注册备案表》，应届生须提交《教育部学籍在线验证报告》（https://my.chsi.com.cn/archive/index.jsp）。

（2）在国（境）外获得学位的，须提交教育部留学服务中心的国（境）外学历学位认证报告（http://zwfw.cscse.edu.cn）。目前在读的可提供国（境）外学习相关证明。

3．个人简历。格式不限。所有内容请合并为1个PDF文件提交，可包含个人基本信息、学习经历、本科阶段成绩单（教务或档案部门盖章）、外语水平证明、各类获奖证书等；学术成果或学术经历材料（发表学术论文、毕业论文开题报告、摘要等）；工作经历、社会实践、科研实践等经历的证明材料。

我院将安排专人对考生提交的材料进行线上审核。未在规定时间内完成网上报到者不予复试，资格审查不合格者不予复试。对个人信息或材料弄虚作假者，一经查实，按有关规定取消报考资格、复试资格、录取资格或学籍。

（二）现场报到

学院定于2025年3月21日（周五）09:00—10:30在华中科技大学集成电路学院光电信息大楼C111会议室 进行现场报到。

请考生携带好身份证原件、准考证（可在学信网下载）、《研究生复试思想政治品德表现考核表》（加盖公章），到院系指定地点报到。

报到时将进行材料核验、抽取面试序号等程序。如有特殊原因不能按时进行现场报到的，必须与院系提前取得联系。逾期不联系或院系联系不上的，由院系安排复试顺序。复试结束前，还未能到场的，视为放弃复试。

注：《研究生复试思想政治品德表现考核表》如在报到时因各种原因未能加盖公章的，须提交个人说明，并承诺在拟录取公示前向院系递交符合要求的纸质材料。

四、复试时间、形式和内容

（一）复试方式

我校2025年硕士研究生复试采用现场方式进行。

（二）复试环节与时间安排

考核时间：2025年3月21日下午及3月22日全天（具体时间以分组、抽签情况定）

（三）复试形式和内容

学术学位考生复试内容（电子科学与技术080900、集成电路科学与工程140100）

1．专业理论知识测试，采用笔试方式进行。主要考核《半导体器件物理》科目的理论知识，将半导体器件相关科学原理与数学建模方法结合，能根据各类器件电特性要求进行器件结构、材料和工艺设计，考核考生是否具备相应综合应用能力。

（1）参考书为《半导体器件物理》，徐静平等编著，华中科技大学出版社。

（2）考试范围为第二章（PN结）、第四章（双极性晶体管）、第六章（MOSFET）和第七章（新型场效应晶体管），其中第四章和第六章是重点。

（3）试题包含四道题目，前三题为专业能力测试，第四题为开放性综合能力测试。涉及画图作答，除中性笔外，还需自备铅笔、尺子和橡皮，无需准备计算器。

2．综合素质和能力测试，通过专家组面试方式进行。主要考核考生的学术素养、科研创新能力等。

（1）考生个人介绍3-5分钟。

介绍本科学业背景、毕业设计内容、科研活动或经历、对学科知识掌握运用情况、对报考专业科研进展的了解情况等。

（2）考官就考生陈述情况和相关专业知识，进行综合提问，考生作答。重点考核考生在本学科专业领域的科研发展潜力、创新意识、逻辑思维能力、语言表达能力等。时间约10-12分钟。

（3）思政考核2-3分钟。

3．外语听说能力测试主要通过视译方式进行，主要包括：

（1）个人自述2-3分钟，介绍本科学业情况、个人特长与兴趣等。

（2）英语视译3-5分钟，将抽到的英文题目朗读一遍并口头翻译成中文。

专业学位考生复试内容（新一代电子信息技术（含量子技术等）085401、集成电路工程085403）

1.专业理论知识测试，采用笔试方式进行。主要考核《半导体器件物理》科目的理论知识，将半导体器件相关科学原理与数学建模方法结合，要求考生能正确表达器件电特性与各影响因素之间复杂关系的工程问题。

（1）参考书为《半导体器件物理》，徐静平等编著，华中科技大学出版社。

（2）考试范围为第二章（PN结）、第四章（双极性晶体管）、第六章（MOSFET）和第七章（新型场效应晶体管），其中第四章和第六章是重点。

（3）试题包含四道题目，前三题为专业能力测试，第四题为开放性综合能力测试。涉及画图作答，除中性笔外，还需自备铅笔、尺子和橡皮，无需准备计算器。

2．综合素质和能力测试，通过专家组面试方式进行。主要考核考生的综合实践素质、运用专业知识分析解决实际问题能力等。

（1）考生个人介绍3-5分钟。

介绍本科学业背景、毕业设计内容、实践经历、科研活动或经历等情况。

（2）考官就考生陈述情况和相关专业知识，进行综合提问，考生作答。重点考核考生学科专业基础、研究能力、工程思维、创新能力、语言表达能力等。时间约10-12分钟。

（3）思政考核2-3分钟。

3．外语听说能力测试主要通过视译方式进行，主要包括：

（1）个人自述2-3分钟，介绍本科学业情况、个人特长与兴趣等。

（2）英语视译3-5分钟，将抽到的英文题目朗读一遍并口头翻译成中文。

五、复试纪律及要求

1．考生应自觉树立遵章守纪、诚实考试的意识。复试期间，考生应自觉遵守我校考场规则及考生所签署的《诚信复试承诺书》等内容，在所报考学院的所有专业复试全部结束前，不将复试有关资料以任何形式上传网络或泄露给他人（或机构）。

2．考生必须按照所报考学科或方向在规定时间进行复试，服从面试人员安排和管理，否则取消复试资格。

3．考生在等候区及复试期间不能使用电子及通讯设备。

4．复试全程进行录音录像。

5．对在研究生考试招生中违反考试管理规定和考场纪律，影响考试公平、公正的考生一律按《中华人民共和国教育法》及《国家教育考试违规处理办法》（教育部令第 33 号）严肃处理。

六、复试成绩计算及待录取原则

复试成绩实行百分制，具体组成见下表。

计算总成绩时，初试成绩（按“初试成绩/初试满分×100”的方式折算为百分制）占60%，复试成绩占40%。

复试结束后2天内，将按学科（电子科学与技术、集成电路科学与工程）或领域（工程硕士）对总成绩进行排序公示。

如总成绩相同时，优先按复试成绩排序；如复试成绩也相同，优先按综合素质和能力测试成绩排序；如综合素质和能力测试成绩也相同，优先按专业理论知识测试成绩排序。

总成绩公示时间为5天，公示网址为集成电路学院网站“研究生教育——通知公告”栏目中（http://ic.hust.edu.cn/yjsjy/tzgg.htm）。

公示期间，考生可实名向学院监察组进行监督和申诉。

监察组联系人：张老师 电话：027-87542594

邮箱：zhoujx@hust.edu.cn

公示结束无异议后，学院将向研究生院报送复试结果。复试不合格（复试总分小于60分）、思想政治品德考核不合格、报考资格不符合规定者，不予录取。

集成电路学院

2025年3月16日