《半导体学报》每年开展“中国半导体十大研究进展”评选活动，旨在遴选我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果，获得了全国半导体学术界和产业界的广泛关注。

2021年，第二届“中国半导体十大研究进展”评选活动共有46项优秀研究成果获得候选推荐资格。2022年1月，由77位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审，选出10项优秀成果，荣膺2021年度“中国半导体十大研究进展”。

经过评选委员会评审，我院叶镭、缪向水团队的“基于同质器件架构的感算存一体化神经形态硬件”成果荣获2021年度“中国半导体十大研究进展”。该成果创新性地基于二维半导体的硅基同质器件，首次提出了类脑功能的“传感-计算-存储一体化”神经形态芯片架构，实现了光电传感、放大运算、信息存储功能的一体化集成，为突破冯·诺依曼瓶颈和实现类脑智能提供了一种全新思路。

我院缪向水教授团队，长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。