2024年8月12日上午9时30分，应我院徐明教授的邀请，吉林大学李贤斌教授做客“喻园·育芯”讲坛。在光电信息大楼D754会议室为我校师生带来题为《相变信息存储器的半导体材料物理研究》的相关报告。我校集成电路学院院长缪向水教授、杨蕊教授等参加了此次讲座。
李贤斌教授首先介绍了相变存储器（Phase-change Memory，PCM）的概念，这是一种利用PCM材料的非晶相与晶相之间的快速可逆转变来实现非易失性信号存储的技术，目前的主要商业应用包括存储集成电路和数据光盘，除此之外，PCM技术在内存计算、人工神经形态系统、全光片上存储及计算等新兴领域展现出巨大潜力。
接下来，李贤斌教授介绍了过去十年时间内在该领域内深耕的诸多优秀成果。首先介绍了一种基于“过渡元素牢靠钉扎中心”思路设计高速、低功耗PCM材料的策略，在相变材料中掺杂少量过渡元素，该元素非晶与晶态下相似的结构特征，使其可以作为晶核，显著加速PCM材料的晶化速度，降低不同状态之间切换的功耗，这一思想对领域内的其他掺杂研究影响深远；第二，介绍了当前国际上最大规模PCM材料高通量计算筛选研究；第三，介绍探索相变材料存储过程新机理的进展，总结了以往国内外对这一争议的关注点，并提出新的思路以及证明方式，通过大规模神经网络拟合势函数模拟，探究存储过程中是否存在融化这一关键问题；第四部分深入探讨了缩微极限下相变存储材料工作可行性问题，提出理论上的极限缩微方案，即单层Sb2Te3既能满足功能性要求又能保证0.8nm的缩微尺寸。
本次讲座结束后，李贤斌教授与徐明、杨蕊教授以及同学们就讲座相关问题进行了深入的交流和探讨。 通过本次讲座，同学们对相变信息存储器的半导体材料物理有了更加深入的了解，李贤斌教授介绍的各类成果对低功耗相变信息存储器及其存储电路开发具有重要的指导意义。
报告人介绍：
李贤斌，吉林大学教授，教育部特聘人才计划。长期从事相变信息存储及光电器件中关键半导体物理问题研究，特别针对相变存储器速度提升与功耗降低等关键问题，基于电子结构计算方法，在半导体的原子结构、电子态的设计与调控方面取得了多项创新成果。曾在Phys. Rev. Lett、Nature Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.等学术期刊发表第一/通讯作者论文。曾获国际半导体物理大会、IEEE国际固态集成电路技术会议、华为未来之光论坛、美国材料学会相变存储论坛、国际玻璃协会年度会议、中德电子存储材料双边学术论坛等重要学术会议邀请报告40余次。主持国家科技重大专项课题、基金委优青项目等。曾获第16届吉林省青年科技奖、2018年教育部青年学者、2023年度教育部特聘教授等荣誉。任全国光学青年学术论坛主席团副主席、全国电子信息青年科学家论坛（第四届半导体青年学术会议）半导体基础物理方向召集人等学术兼职。
