2024年8月6日下午15：00，由我院主办的“喻园·育芯”讲坛第78期在光电信息大楼C111会议室顺利举行。本次讲坛邀请了南京大学徐永兵教授作报告，题目为《Manipulation of spin ordering in 2D magnets》（二维磁体中自旋有序的操控）。本次讲坛由集成电路学院游龙教授邀请并主持。

本次报告中，徐永兵教授介绍了近年来自旋电子材料，器件和技术的发展，并由此引出二维（2D）磁体的发现，其作为混合自旋电子材料为基础物理学和下一代自旋电子学打开了大门。徐教授首先报告了最近在两个原型系统Fe₃GeTe₂(FGT)和CrTe₂中操纵自旋有序的研究，重点是提高自旋有序温度和新的自旋结构，发现飞秒脉冲激光可以在室温下驱动一些单层的FGT出现铁磁性。饱和磁化和矫顽力都受到飞秒脉冲激光激发强度的强烈调制。并且在CrTe₂中，徐教授研究团队发现双层石墨烯基底可导致这些通过MBE生长的少单层薄膜具有室温本征铁磁性和垂直磁各向异性(PMA)。此外，利用Bi₂Te₃中的强自旋轨道耦合，在 CrTe₂/Bi₂Te₃的范德华异质结构中获得了巨大的THE信号，这是二维铁磁体（FM）/拓扑绝缘体（TI）的原型。最后，徐教授研究团队还实现了二维磁性晶体 Cr₅Te₈ 中CrTe₂ 原子层之间的反铁磁层间交换耦合。二维磁性材料的快速发展为自旋电子学领域带来了新的可能性。

最后，在互动交流环节，在场的同学就自己的研究方向和对报告中有疑问的部分积极向徐教授提问，徐教授和同学们充分交流了飞秒脉冲激光操纵自旋有序性实验中的技术细节等问题，为同学们答疑解惑。游龙教授会后为徐永兵教授颁发了邀请证书。

此次讲坛不仅加深了同学们对于二维磁体的自旋有序性操纵的理解，也帮助同学们打开了研究思路，开拓了科学视野，促成了一场有益的学术互动。

报告人简介：

徐永兵，南京大学物理系学士、硕士及博士，英国利兹大学博士，剑桥大学博士后，南京大学-约克大学自旋电子学国际联合研究中心主任，南京大学自旋芯片与技术全国重点实验室主任，国家特聘专家，国家重大研发计划（973）首席科学家。徐永兵教授专长于先进电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片（MRAM, SpinFET）、超快材料科学的研究。是零磁场下STT 效应 (STT-MRAM)及自旋芯片材料（SpinFET）的开创者之一。 2000年获英国国家工程和物理科学研究部杰出科学奖EPSRC Fellowship Award，为当年剑桥大学唯一入选者。任英、中、美十多所著名大学组成的世界大学联盟WUN“自旋电子学”重大国际合作项目执行委员会主席，Springer重大参考书《Handbook of Spintronics》的主编。