2024年1月22日下午15:00，由我院主办的“喻园·育芯”讲坛第55期在光电信息大楼C677会议室顺利举行。本次讲坛邀请了中国工程物理研究院吴卫东研究员作题为《绝缘介质及薄膜电测方法——在辐致损伤中的应用》的报告。讲坛由李康华副研究员主持。

绝缘电介质及薄膜的电测试方法对于电子器件至关重要，尤其是在辐射环境中，绝缘电介质的性能会发生显著的变化。本次报告中，吴卫东研究员以掺镱二氧化硅(Yb-SiO₂)和CMOS器件中的SiO₂绝缘层为例，讨论了如何采用电测量方法分析辐照后绝缘介质及薄膜的辐致损伤特性。通过理论与实验分析，给出了小尺度绝缘介质辐致损伤的评估方法，并指出该方法用于器件寿命和可靠性评估及机理研究和应用的可行性。

在互动交流环节，吴卫东与现场师生在太赫兹波应用的现状、电测试分析对实验的指导作用，国内外电测试分析的发展等方面进行了深入的探讨。此次讲坛为同学们提供了研究思路，开拓了科学思维，同学们纷纷表示获益匪浅。

报告人介绍：

吴卫东，研究员，博导，中国工程物理研究院激光聚变研究中心科技委专职委员，中国工程物理研究院激光聚变研究中心薄膜物理学术带头人。中国材科研究会极端条件下材料与器件分会副主任委员兼秘书长。长期从事薄膜材料与率导体功能器件研究。获军队级科技进步一等奖1项，二等奖2项，三等奖4项，获得省部级科技进步二、三等奖十多项，以第一作者和通讯作者的身份发表SCI论文100余篇，获批发明专利30项。曾承担和参加了多项国家重大专项、国防预先研究课题、国家863高技术课题、科技部重大仅器专项、中国工程物理研究院科学发展基金和国家自然基金等多项科研项目，某国家项目子项。现任某重大项目总体组成员和下一级课题首席专家。当前主要从事光电子学材料与器件辐照效应方面工作。